(조세금융신문=김필주 기자) 삼성전자가 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산에 돌입했다.

23일 삼성전자 측은 ‘9세대 V낸드’ 양산에 대해 “업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다”며 “아울러 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술을 통해 셀의 평면적을 줄였고 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하고자 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질 및 신뢰성을 높였다”고 밝혔다.

삼성전자에 따르면 양산을 시작한 ‘9세대 V낸드’는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. 또한 이 제품은 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성마저 대폭 향상됐다.

‘채널 홀 에칭’은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산효율 역시 증가하기에 정교화?고도화가 요구된다는게 삼성전자측 설명이다.

이와함께 ‘9세대 V낸드’는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘Toggle 5.1’을 적용함에 따라 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 뿐만아니라 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 

삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 한다는 방침이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장(부사장)은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량?고성능 제품에 대한 고객의 니즈도 동시에 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성?제품 경쟁력을 높였다”며 “‘9세대 V낸드’를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속?초고용량 SSD 시장을 선도해 나가겠다”고 강조했다.

한편 삼성전자는 이번 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 올 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’도 양산할 계획이다.

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